Die Idee des Multireflexionsmodells (MR-Modell) ist in der Abbildung 2.5 veranschaulicht. Ein von der Vakuumseite her einfallendes Elektron wird an der Potentialbarriere des Festkörpers bei mit der Wahrscheinlichkeit reflektiert. Liegt die Energie des Elektrons unter der Vakuumenergie , findet an der Oberflächenbarriere eine Rückreflexion mit der Wahrscheinlichkeit statt. Für Elektronenenergien im Bereich einer Bandlücke und unterhalb der Vakuumenergie sind die Reflexionskoeffizienten und . In diesem Fall ist das Elektron in einem Potentialtopf eingesperrt. Bei jeder Reflexion unterliegt die Wellenfunktion des Elektrons einem Phasensprung von bzw. (vgl. Abb. 2.5). Es entstehen genau dann gebundene Zustände (stehende Wellen), wenn für die Phasen der ein- und auslaufenden Elektronenwelle folgende Beziehung gilt:
Hierbei ist der Phasensprung (Bildkraftphase) an der Oberflächenbarriere, der Phasensprung (Kristallphase) am Festkörper und der Elektronenimpuls in z-Richtung (vgl. Gl.(2.15)). Im Bereich sei der Elektronenimpuls und das Potential konstant. Senkrecht zur Kristalloberfläche (entlang Z) bewegt sich das Elektron frei mit der Energie:
Die Energie E wird hier vom Boden des Potentials () gemessen und ist die Wellenvektorkomponente parallel zur Kristalloberfläche. Der Bereich der freien Elektronenbewegung () wird für Adsorbatstudien häufig angepaßt, um die veränderte Energielage der Oberflächenzustände mit zunehmendem Bedeckungsgrad zu beschreiben [Mem90]. Für reine Oberflächen kann dieser Bereich zu Null gesetzt werden. Zur Bestimmung der energetischen Lage der Oberflächenzustände benötigt man neben der Phasengleichung (2.14) auch die Relation zwischen den beiden Phasen und der Energie E. Diese Beziehungen sollen nun abgeleitet werden. Hierfür wird das Problem in die Bewegungen senkrecht und parallel zur Oberfläche separiert.