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Theoretische Beschreibung von Oberflächenzuständen

 

Ein wesentlicher Teil dieser Arbeit beschäftigt sich mit elektronischen Zuständen von Festkörpern, deren Aufenthaltswahrscheinlichkeit stark in den obersten Atomlagen oder einige ngström davor lokalisiert ist. Aus der Symmetriebrechung durch die Oberfläche folgen zusätzliche Lösungen der Eigenwertgleichung mit Wellenfunktionen, deren Amplituden im Oberflächenbereich maximal sind. Diese Oberflächenzustände unterteilt man in Oberflächenresonanzen und in kristall- bzw. bildkraftinduzierte Oberflächenzustände. Während Oberflächenresonanzen an Zuständen im Festkörper ankoppeln und in diese zerfallen, treten die ,,reinen`` Oberflächenzustände nur in Bandlücken des Festkörpers auf. Deren Wellenfunktionen fallen im Festkörper exponentiell ab.

Für die Entstehung der Oberflächenzustände und deren Spinaufspaltung in magnetischen Materialien ist das Multireflexionsmodell(MR-Modell), auch Phasenmodell genannt, instruktiv. Die Idee des MR-Modells geht auf die Arbeiten von McRae [Rae71] und Echenique und Pendry [EcP78] zurück. Smith und Chen [Smi85] hat dieses Modell erfolgreich zur Beschreibung der Oberflächenzustände auf Cu(110) angewandt und es auch für den Fall des nicht-senkrechten Einfalls der Elektronen erweitert [ChS87, ChS89]. Im Kapitel 5 werden einige Ergebnisse im Rahmen des MR-Modells diskutiert, so daß an dieser Stelle ausführlich auf dieses MR-Modell eingegangen wird.





Bode Sven
Wed Sep 3 11:00:17 MET DST 1997