Vor gut 100 Jahren entdeckte Röntgen, daß Festkörper unter Beschuß von Elektronen Bremsstrahlung aussenden. Dies war die Geburtsstunde der inversen Photoemission (IPE), auch wenn es etwas mehr als 80 Jahre dauerte, bevor diese Technik als Spektroskopie Einzug hielt.
Heute wird die IPE in der Festkörperphysik zur experimentellen Bestimmung der unbesetzten Bandstruktur verwendet. Damit ergänzt sie die Photoemission (PE), mit der die besetzte Bandstruktur bis zur Fermienergie untersucht werden kann. Die vollständige Kenntnis der Bandstruktur an der Fermikante ist entscheidend für das Verständnis vieler Festkörperphänomene[Ebe92], wie zum Beispiel den Magnetismus. Aufgrund der geringen mittleren freien Weglänge der niederenergetischen Elektronen in Metallen (siehe Abb.(2.1)) zeichnet sich die IPE durch eine hohe Oberflächenempfindlichkeit aus. Sie ist daher auch für Adsorbatstudien [Mem93, Rec97] und für die Untersuchung von oberflächeninduzierten Änderungen der elektronischen Struktur geeignet.
Abbildung: Spinabhängige mittlere freie Weglänge in Monolagen (ML) von
niederenergetischen Elektronen in Eisenfilmen auf Kupfer.
Die Eindringtiefe in Metalle weicht von der ,,universellen``
Kurve (durchgezogene Linie im Einsatz) erheblich ab [Hop95 ].